RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1986
, том 20,
выпуск 10,
страницы
1874–1877
(Mi phts428)
Краткие сообщения
Влияние облучения быстрыми электронами на люминесценцию СЛК эпитаксиальных слоев
$p$
-GaAs(Si)
К. Д. Глинчук
,
В. И. Гурошев
,
А. В. Прохорович
Полный текст:
PDF файл (551 kB)
©
МИАН
, 2024