RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 10, страницы 1874–1877 (Mi phts428)

Краткие сообщения

Влияние облучения быстрыми электронами на люминесценцию СЛК эпитаксиальных слоев $p$-GaAs(Si)

К. Д. Глинчук, В. И. Гурошев, А. В. Прохорович




© МИАН, 2024