Влияние глубоких уровней на вольт-амперные характеристики гетероструктурных полевых транзисторов с селективным легированием

Разработана модель полевого транзистора на гетероструктуре с селективным легированием (ПТ ГСЛ), учитывающая глубокие энергетические уровни, размерное квантование электронов в канале и их нестационарный дрейф при субмикронной длине затвора. Расчетные вольт-амперные характеристики (ВАХ) хорошо совпали с экспериментальными. На основе расчетов и качественного анализа ВАХ исследовано влияние глубоких уровней, локализованных в объеме широкозонного полупроводника и на границе гетероперехода, на статические характеристики ПТ ГСЛ. В образцах с аномальными ВАХ методом емкостной спектроскопии вблизи границы гетероперехода обнаружены $DX$-центры.