Аномальная зависимость времени включения от перенапряжения в сверхбыстродействующих переключателях на основе аморфных полупроводников

Представлены экспериментальные результаты, свидетельствующие о возможности увеличения времени включения с перенапряжением в сверхбыстродействующих переключателях на основе аморфных пленок теллуридов In, Ga, Ge и Si. Используя модель ударной ионизации в трехуровневой системе с учетом тока смещения и неоднородности токового канала в низкоомном состоянии, дано объяснение этому явлению.