Кинетика наносекундной электрической «формовки» переключающих элементов на основе некристаллических пленок Ge$_{x}$Te$_{1-x}$

С помощью однократных импульсов длительностью 3$-$10 нc изучена кинетика переключения в переключающих элементах на основе некристаллических пленок Ge$_{x}$Te$_{1-x}$. Обнаружено, что процесс «формовки» сопровождается высокочастотными флуктуациями тока, возникающими из-за поочередного включения и выключения некоторых частей межэлектродного материала. Показано, что процесс выключения обусловлен термическим разрушением низкоомного состояния. Представлена математическая модель, объясняющая основные закономерности таких флуктуаций.