RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 5, страницы 852–858 (Mi phts4306)

К вопросу о спектре глубоких уровней, создаваемых в кремниевых детекторах излучений $\alpha$-частицами

Е. М. Вербицкая, В. К. Еремин, А. М. Иванов, Е. С. Игнатенко, Н. Б. Строкан, У. Ш. Туребеков, Й. Борани, Б. Шмидт


Аннотация: Исследованы радиационные дефекты, возникающие после $\alpha$-облучения в кремниевых детекторах излучений, изготовленных на основе материала, выращенного по методу Чохральского и полученного методом бестигельной зонной плавки. Проведено сравнение результатов электронного и $\alpha$-облучения, а также воздействия $\alpha$-частиц различной дозы и энергии. Установлены общая природа и нестабильный характер при комнатной температуре центров, возникающих в нижней половине запрещенной зоны непосредственно после воздействия $\alpha$-излучения. Показано влияние термических воздействий на спектр радиационных дефектов в кремнии.



© МИАН, 2024