Влияние анодного окисления поверхности на характеристики фотопроводимости и фотомагнитного эффекта в кристаллах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

В кристаллах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te (${x\cong0.20}$) $n$- и $p$-типа исследовано влияние анодного окисления поверхности на характеристики фотопроводимости (ФП) и фотомагнитного эффекта (ФМЭ), а также на эффект Холла и электропроводность. Анализ результатов проведен с учетом наличия на границе раздела полупроводник$-$окисел фиксированного положительного заряда большой плотности. Показано, что кратковременная ультрафиолетовая подсветка приводит при низкой (${T\leqslant80}$ K) температуре к качественной трансформации характеристик образца из-за перехода его в новое стационарное состояние с практически полной релаксацией электрического приповерхностного потенциала. В образцах $p$-типа обнаружено возникновение пространственной концентрационной неоднородности в приповерхностной области кристалла после нанесения анодного окисла. Кроме того, коэффициент Холла испытывает инверсию знака, а величины ФП и ФМЭ резко возрастают в образцах $p$-типа и, напротив, уменьшаются в образцах $n$-типа.