Э. П. Домашевская, Е. Н. Неврюева, Г. Г. Грушка, Н. П. Говалешко, А. С. Баев, В. А. Терехов, “Влияние стехиометрических вакансий на поведение потолка валентной зоны в твердых растворах (In$_{2}$Te$_{3}$)$_{x}{-}$(HgTe)$_{1-x}$”, Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 5,страницы 893

Влияние стехиометрических вакансий на поведение потолка валентной зоны в твердых растворах (In$_{2}$Te$_{3}$)$_{x}{-}$(HgTe)$_{1-x}$

Э. П. Домашевская, Е. Н. Неврюева, Г. Г. Грушка, Н. П. Говалешко, А. С. Баев, В. А. Терехов

Аннотация: Совместно методами ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) получены композиционные зависимости энергетического положения потолка валентной зоны $E_{v}(x)$ и главного максимума спектра валентных $5p$-электронов теллура в твердых растворах (In$_{2}$Te$_{3})_{x}{-}$(HgTe)$_{1-x}$.
Установлено, что в этой системе в области ${x<0.1}$ наблюдается резкий сдвиг в положении особых точек, в том числе и $E_{v}$ в сторону больших энергий связи. Подобное поведение $E_{v}(x)$ объясняется влиянием $d$-электронов ртути и стехиометрических вакансий. Наличие последних позволяет объяснить различный характер поведения $E_{v}(x)$ в системах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te и (In$_{2}$Te$_{3})_{x}{-}$(HgTe)$_{1-x}$.