In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.88}$Ga$_{0.12}$As$_{0.23}$P$_{0.77}$-гетероструктуры с двумерным электронным газом

Методом ЖФЭ впервые получены гетероструктуры In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.88}$Ga$_{0.12}$As$_{0.23}$P$_{0.77}$ с двумерным электронным газом. Исследованы механизмы эффекта устойчивой фотопроводимости в структурах In$_{x}$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As. Показано, что введение спейсера и буферного слоя позволяет получить структуры с очень высокой подвижностью — 12 300 см$^{2}/\text{В}\cdot\text{с}$ при комнатной температуре, в которых отсутствует влияние освещения на транспортные характеристики при низких температурах.