Аннотация:
Проведен детальный анализ пограничных состояний на идеальном
гетеропереходе типа GaAs/Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As при произвольном
спин-орбитальном взаимодействии. Показана резкая зависимость дисперсии,
локализации и добротности пограничных состояний от спин-орбитального
взаимодействия.