Влияние фазовых превращений на оптические и электрические свойства эпитаксиальных гетероструктур In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP

Показано, что спектр фононов и механизм рассеяния электронов неоднозначно связаны с составом твердого раствора In$_{x}$Ga$_{1-x}$As. Обнаружена зависимость частоты, силы осцилляторов $TO$-фононов In$-$As и Ga$-$As в эпитаксиальных слоях (ЭС) In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As от температуры их выращивания. В интервале температур роста $750{-}550^{\circ}$C эти характеристики имеют экстремум при температуре $650^{\circ}$C, которая также является критической и для процесса рассеяния электронов. При этой температуре роста изменяется масштаб флуктуаций решеточного потенциала. Предполагается, что при изменении температуры кристаллизации происходит изменение характера распределения компонент твердого раствора от хаотического (при $750^{\circ}$C) через упорядочение к кластерированию. Движущей силой фазовых превращений является энергия упругой деформации, обусловленная различием периодов решеток бинарных соединений, составляющих тройной раствор.