RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1986
, том 20,
выпуск 10,
страницы
1894–1897
(Mi phts435)
Краткие сообщения
Особенности накопления радиационных дефектов в высокоомном
$p$
-кремнии
П. Ф. Лугаков
,
В. В. Лукьяница
,
В. В. Шуша
Полный текст:
PDF файл (610 kB)
©
МИАН
, 2024