RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 10, страницы 1894–1897 (Mi phts435)

Краткие сообщения

Особенности накопления радиационных дефектов в высокоомном $p$-кремнии

П. Ф. Лугаков, В. В. Лукьяница, В. В. Шуша




© МИАН, 2024