Плазмон-фононные моды и непараболичность зоны проводимости в эпитаксиальных слоя InGaAs/InP

Исследованы спектры плазменного отражения эпитаксиальных слоев In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, полученных на подложках InP в зависимости от концентрации электронов в интервале $7.5\cdot 10^{17}\div 3\cdot 10^{19}$ см$^{-3}$. Рассмотрено плазмон-фононное взаимодействие в модели двух осцилляторов — InAs и GaAs эпитаксиального слоя InGaAs. Проведены численные расчеты контуров плазменного отражения, обусловленного компонентами InAs и GaAs, определены $\nu_{+}$ для обоих осцилляторов. Показано, что при концентрациях электронов $N > 1.4\cdot 10^{18}$ см$^{-3}$ наблюдается отклонение плазмон-подобной ветви $\nu_{+}$ от параболической зависимости. Рассчитана эффективная масса электронов, которая при $N > 4.6\cdot 10^{18}$ см$^{-3}$ также имеет непараболический закон.