Эффективность введения электронных ловушек в арсениде галлия при высокотемпературном облучении электронами

С помощью измерений емкостной спектроскопии в GaAs с $n_{0}= 10^{15}{-}2.5\cdot 10^{17}$ см$^{-3}$ исследовалось влияние температуры облучения в на эффективность введения электронных ловушек в интервале $20\leqslant \Theta \leqslant 550^{\circ}$C.
Установлено, что при в $\Theta \gtrsim 250^{\circ}$C, когда $E$-ловушки термически нестабильны, основной вклад в изменение свойств материала вносят ловушки $X1$ и $X2$ с $E_{a}\approx 0.38$ и $E_{a}=0.76$ эВ соответственно. Изменений энергетического спектра $X$-ловушек в зависимости от метода выращивания материала (эпитаксиальный, Чохральского), уровня его легирования и типа легирующей донорной примеси (S, Te) не наблюдалось.
Показано, что в интервале $\Theta = 20{-}550^{\circ}$C эффективность введения ловушки $X2$ практически не меняется, а эффективность введения $X1$ существенно зависит от величины $\Theta$. Предполагается, что рост скорости введения $X1$, наблюдаемый в нелегированных слоях [$n_{0}\approx (1\div 3)\cdot 10^{15}$ см$^{-3}$] при $\Theta =300{-}400^{\circ}$C, обусловлен изменением зарядового состояния дефекта, а последующий спад при более высоких $\Theta$ — отжигом центра. Указывается на возможную связь ловушки $X1$ с одним из зарядовых состояний вакансии As.