RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 7, страницы 1183–1187 (Mi phts4372)

Рекомбинация в Hg$_{1-x-y}$Cd$_{x}$Mn$_{y}$Te ($x\cong 0.28{-}0.35$, $y\cong 0.01{-}0.02$)

П. И. Баранский, А. Е. Беляев, И. Н. Горбатюк, С. М. Комиренко, И. М. Раренко, Н. В. Шевченко


Аннотация: Исследованы рекомбинационные процессы в твердых растворах GdMnHgTe. Получены температурные зависимости удельного сопротивления, коэффициента Холла и времени жизни неравновесных носителей заряда. Установлено, что рекомбинация носителей контролируется наличием в запрещенной зоне двух примесных уровней.



© МИАН, 2024