Характеристики полупроводникового диода с резким переходом при высоких уровнях ионизирующих излучений

На основе анализа уравнений дрейфово-диффузионной модели для случая «короткого» диода (диффузионные длины много больше толщин $p$- и $n$-областей) с резким переходом и контактами рекомбинационного типа получены соотношения, описывающие зависимость ионизационного тока от параметров структуры и темпа ионизации (учитывается только межзонная генерация носителей). Определены пороговые значения темпа генерации $G^{*}$, при которых снимается потенциальный барьер $p{-}n$-перехода. Проведено сравнение аналитического и численного решений. Характеристики «длинного» диода рассчитаны численно. Показано, что аналитические соотношения, полученные для случая короткого диода, являются предельными для длинного диода. Предложенный подход позволяет рассчитывать ионизационные и фотоэлектрические характеристики структур с нерезким переходом.