RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 7, страницы 1209–1216 (Mi phts4376)

Образование и эволюция нитей лавинного тока в обратносмещенных $p{-}n$-переходах на основе $6H$-SiC

В. А. Ващенко, Ю. А. Водаков, В. В. Гафийчук, Б. И. Дацко, Б. С. Кернер, Д. П. Литвин, В. В. Осипов, А. Д. Роенков, В. И. Санкин


Аннотация: Основные особенности ранее обнаруженного расслоения электронно-дырочной плазмы в $\alpha$-SiC при лавинном пробое $p{-}n$-переходов подтверждены численным решением дифференциальных уравнений согласно предложенной модели.
Эволюция нитей тока, проявляющаяся в виде уменьшения их числа и увеличения размера, вплоть до образования одношнурового состояния связана, как показано в работе, с возрастанием температуры решетки в результате джоулева разогрева. Однако качественные свойства токового шнура обусловлены электронным механизмом, а именно возрастающей зависимостью скорости ударной ионизации от концентрации неравновесных носителей тока.



© МИАН, 2024