Теория полевого эффекта в туннельно-резонансной гетероструктуре с селективным рассеянием

Рассчитана продольная омическая проводимость гетероструктуры, включающей пару параллельных квантовых ям, разделенных туннельно проницаемым барьером. Проводимость управляется поперечным электрическим полем, индуцирующим электроны в квантовых ямах и одновременно тонко изменяющим форму потенциальных ям и барьеров.
В случае существенно различной скорости рассеяния электронов в ямах (селективного рассеяния) в окрестности области туннельного резонанса происходит существенный провал проводимости структуры, связанный с сильным рассеянием электронов в обеих актуальных энергетических подзонах. Вне же этой области всегда существует группа электронов, локализованных в яме со слабым рассеянием, и поэтому хорошо проводящих.
Предложена аналитическая теория эффекта, основанная на теории возмущений для случая почти вырожденных собственных значений и не требующая существенной численной процедуры.