RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 8, страницы 1324–1331 (Mi phts4393)

Влияние атмосферы термообработки на образование центров с глубокими уровнями

Ю. В. Выжигин, Н. А. Соболев, Б. Н. Грессеров, Е. И. Шек


Аннотация: Исследовано влияние различных факторов на спектр образующихся при термообработке кремния $n$-типа проводимости центров с глубокими уровнями. Установлено, что отжиг в потоке аргона или в вакууме приводит к образованию трех центров с глубокими уровнями с энергиями ионизации $E_{3}=E_{c}-0.455$, $E_{5}=E_{c}-0.266$, $E_{7}=E_{c}-0.193$ эВ и сечениями захвата электронов $\sigma_{3}=1.2\cdot 10^{-14}$, $\sigma_{5}=4.0\cdot 10^{-16}$, $\sigma_{7}=5.1\cdot 10^{-16}$ см$^{2}$. Определяющую роль в формировании этих центров играют вакансии. При термообработке в окислительной среде (сухой кислород и хлорсодержащая атмосфера) доминируют два центра с глубокими уровнями с $E_{1}=E_{c}-0.535$, $E_{4}=E_{c}-0.277$ эВ, $\sigma_{1}=1.6\cdot 10^{-15}$, $\sigma_{4}=1.9\cdot 10^{-17}$ см$^{2}$, образование которых определяется пересыщением кремния собственными межузельными атомами. Диффузия алюминия и бора в потоке аргона или в вакууме также приводит к образованию центра $E4$, а в окислительной атмосфере может сопровождаться введением центров $E7$ и $E8$ ($E_{8} =E_{c}- 0.185$ эВ, $\sigma_{8}=4.0\cdot 10^{-14}$ см$^{2}$). Образование центра $E8$ связано с обогащением кремния кислородом. Обсуждаются причины, по которым приводимые разными авторами параметры центров с глубокими уровнями, образующихся при термообработке кремния, весьма отличаются друг от друга.



© МИАН, 2024