Влияние примесного состава $n$-Si на радиационное дефектообразование и деградацию времени жизни неосновных носителей заряда при $\gamma$-облучении

Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней изучались механизм и кинетика образования точечных радиационных дефектов, введенных $\gamma$-квантами $^{60}$Со в $n$-Si с широким диапазоном концентрации примесей, а также влияние этих дефектов на время жизни неосновных носителей заряда при высоком и низком уровнях инжекции. Обнаружено, что суммарная скорость введения радиационных комплексов всех типов не чувствительна к присутствию кислорода и донорной примеси в диапазоне концентрации $3\cdot 10^{13}{-} 10^{18}$ см$^{-3}$, что свидетельствует о неэффективности примесных механизмов радиационного дефектообразования в $n$-Si. Установлена взаимосвязь примесного состава $n$-Si с типом доминирующего радиационного центра рекомбинации неосновных носителей заряда и со скоростью радиационной деградации их времени жизни.