В. С. Абрамов, И. П. Акимченко, В. А. Дравин, Н. Н. Дымова, В. В. Краснопевцев, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, “Совместная имплантация в полуизолирующий арсенид галлия электрически активной и изовалентной примесей”, Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 8,страницы 1355

Совместная имплантация в полуизолирующий арсенид галлия электрически активной и изовалентной примесей

В. С. Абрамов, И. П. Акимченко, В. А. Дравин, Н. Н. Дымова, В. В. Краснопевцев, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев

Аннотация: Исследованы свойства слоев, полученных имплантацией ионов Si, P, Ar, Se, Ga, Kr и их комбинациями Si + P, Si + Ar, Se + Ga, Se + Kr в подложки полуизолирующего GaAs : Cr. Показано, что совместная имплантация изовалентной (P, Ga) и донорной (Si, Se) примесей позволяет повысить концентрацию и подвижность электронов в слое. Обсуждаются вероятные причины этого явления.