Потенциальные барьеры на поверхности $n$- и $p$-GaAs (100): кинетика движения поверхностного уровня Ферми при химической обработке

Изучалась кинетика изменения высоты потенциальных барьеров (движения поверхностного уровня Ферми относительно краев разрешенных зон) на поверхности $n$- и $p$-GaAs (100) при обработке в водных растворах сульфида натрия. Изменение высоты определялось оптическим методом, основанным на эффекте поляризационной анизотропии отражения.
Установлено, что в процессе обработки поверхности как $n$-, так и $p$-GaAs уровень Ферми сначала смещается к потолку валентной зоны до положения $E_{v}+0.3$ эВ, а затем возвращается в практически исходное положение. Кинетика движения поверхностного уровня Ферми существенно зависит от типа проводимости GaAs (скорость смещения для $n$-типа на 1.5$-$2 порядка выше, чем для $p$-типа), а также зависит от степени легирования полупроводника и концентрации ионов серы в растворе.
Показано, что обработка в растворе сульфида натрия позволяет увеличить высоту потенциального барьера на поверхности n-GaAs до 1.1 эВ, а на поверхности $p$-GaAs уменьшить ее до 0.3 эВ.