Совершенствование процесса заращивания и получение одномодовых зарощенных InGaAsP/InP-лазеров ($\lambda=1.3$ мкм) с мощностью излучения 160 мВт

Установлены и устранены причины, приводящие к возрастанию пороговой плотности тока в лазерных диодах зарощенной конструкции при их изготовлении методом жидкостной эпитаксии. На основании исследований фотолюминесцентных характеристик зарощенных мезаполосков показано, что основной причиной возрастания пороговой плотности тока в соответствующих лазерах является падение внешнего квантового выхода спонтанного излучения, обусловленное возникновением во время процесса заращивания дополнительных центров безызлучательной рекомбинации на границе мезы и блокирующих слоев. Установлено, что величина внешнего квантового выхода спонтанного излучения активной области может быть восстановлена после стравливания в недосыщенном металлическом расплаве тонкого (0.1$-$0.3 мкм) нарушенного приповерхностного слоя мезы. С использованием данного приема изготовлены одномодовые InGaAsP/InP-лазеры ($\lambda=1.3$ мкм), имеющие при длине резонатора 500 мкм пороговые плотности тока 15$-$25 мА и непрерывную мощность излучения более 150 мВт.