Коротковолновая фоточувствительность поверхностно-барьерных структур: влияние промежуточного диэлектрического слоя

Изучались спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур GaP в GaP$_{0.4}$As$_{0.6}$, содержащих диэлектрический слой между полупроводником и металлом (толщина слоя варьировалась в пределах 10$-$100 Å).
Показано, что коротковолновая (соответствующая области сильного собственного поглощения полупроводника) фоточувствительность структур с диэлектрическим слоем толщиной ${\delta=30{-}60}$ Å(этому соответствует коэффициент идеальности структур ${\beta=1.25{-}1.5}$) существенно выше, чем у структур с очень тонким ($\delta= 10$ Å) и относительно толстым ($\delta=100$ Å) диэлектрическими слоями.