Краткие сообщения

Комбинационное рассеяние в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных изовалентными примесями Bi и In: влияние дефектов и затухание плазмофонона

В. Н. Денисов, Б. Н. Маврин, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев