Разогрев локальных колебаний при безызлучательной рекомбинации и рекомбинационно-стимулированные явления в полупроводниках (обзор)

Излагается последовательная теория разогрева локальных колебаний при безызлучательной рекомбинации в полупроводниках. Обсуждаются основные механизмы возбуждения и релаксации локальных колебаний дефектов.
Анализируются рекомбинационно-стимулированные реакции в полупроводниках. Теория разогрева локальных колебаний применяется для вычисления скорости рекомбинационно-стимулированных реакций, а также для интерпретации экспериментальных данных по неупругому распылению поверхности твердых тел ионной бомбардировкой и лазерному отжигу в полупроводниках.