Диагностика эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на кремниевых подложках, методами фотолюминесценции и емкостной спектроскопии

С помощью измерений фотолюминесценции (${T=4.5}$ K) и нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней проведены исследования специально не легированных и легированных кремнием слоев GaAs, выращенных по двухступенчатой технологии на кремниевых подложках. Полученные результаты сравниваются с соответствующими данными для гомоэпитаксиальных структур. Проведенный анализ позволил идентифицировать основные полосы ФЛ активных слоев гомо- и гетероэпитаксиальных структур и определить природу основного мелкого акцептора. Оценены также величина термических напряжений и содержание глубоких центров в слоях GaAs/Si.