О влиянии магнитных примесей на гальваномагнитные явления антимонида галлия $p$-типа проводимости

Исследовано магнитосопротивление $\Delta\rho/\rho$ образцов антимонида галлия, легированного марганцем, железом и гадолинием, в диапазоне магнитных полей ${0\div14}$ T при температуре 4.2 K. Концентрация вводимых примесей изменялась в пределах ${0.005\div1}$ %. Показано, что в образцах антимонида галлия, легированных марганцем, в области магнитных полей до 4 Т наблюдается эффект отрицательного магнитного сопротивления. Величина отрицательного магнитного сопротивления растет с увеличением концентрации вводимого марганца. В антимониде галлия, легированного марганцем, отрицательное магнитное сопротивление обусловлено спиновым рассеянием дырок на магнитных моментах ионов марганца. Наличие поляризационного магнитного момента ионов железа и гадолиния в матрице антимонида галлия не приводит к эффекту отрицательного магнитного сопротивления в этих образцах.