Особенности спектральных характеристик тонкопленочных фотопреобразователей на основе $a$-Si : H с зеркально отражающим тыльным контактом

Предложена модельная структура для расчета спектральной зависимости коэффициента собирания носителей заряда в тонкопленочных фотопреобразователях (ФП) на основе аморфного гидрогенизированного кремния ($a$-Si : Н) с зеркальным отражением света от тыльного контакта. При количественных расчетах спектральных характеристик использовались значения физических параметров конкретного материала $a$-Si : Н. Определено оптимальное значение толщины ФП, при котором величина тока короткого замыкания максимальна. Показано, что предложенная модель хорошо описывает интерференционные эффекты в тонкопленочных ФП.