Релаксация горячих электронов на равновесных флуктуациях плотности дырочной плазмы

Рассмотрены особенности релаксации горячих электронов на равновесных колебаниях дырочной плазмы в полупроводниках $p$-типа. Показано, что из-за интенсивных переходов частиц из зоны тяжелых дырок в зону легких резонансное испускание плазмонов оказывается существенным образом подавленным. Рассеяние горячих электронов на колебаниях плазмы в этих условиях происходит преимущественно с возбуждением тяжелой дырки в зону легких дырок, причем вследствие динамического экранирования энергетические потери распределены в широкой полосе и могут быть больше, чем в случае резонансного испускания плазмонов определенной энергии.