Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, В. Л. Суханов, “Туннельные эффекты в двумерной кремниевой транзисторной структуре”, Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 9,страницы 1613

Туннельные эффекты в двумерной кремниевой транзисторной структуре

Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, В. Л. Суханов

Аннотация: Впервые демонстрируются двумерные кремниевые транзисторные структуры, которые в зависимости от режима включения определяют характеристики как биполярного, так и полевого транзисторов. Данные транзисторные структуры исследуются на предмет туннелирования электронов и дырок при переносе вдоль двумерной базы (полевой режим) и при протекании тока эмиттер$-$база$-$коллектор (биполярный режим).