Произведение $R_{0}A$ в InAs $p{-}n$-переходах

Проведен анализ произведения $R_{0}A$ в InAs $p{-}n$-переходах при $T=300$, 200, 77 K с уровнями легирования $10^{16}{-}10^{18}$ см$^{-3}$. Выполнен расчет как для градиентного (линейного), так и для резкого распределения примесей. Учитывался вклад трех основных компонент объемного темнового тока: диффузионного, генерационно-рекомбинационного и туннельного. При $T=300$ K вклад диффузионного тока является определяющим (при $n,\,p < 10^{17}$см$^{-3}$). С понижением температуры возрастает вклад генерационно-рекомбинационного тока и он становится основным. При 300, 200 К наиболее высокое значение $R_{0}A$ в градиентных $p{-}n$-переходах дает использование слабо легированных кристаллов ($n,\,p \sim 10^{16}$ см$^{-3}$) с малым градиентом. Максимальное значение $R_{0}A$ достигается в резких асимметричных $p{-}n$-переходах с $n \leqslant 10^{17}$ см$^{-3}$. При 77 K практически достижимое значение $R_{0}A$ определяется генерационно-рекомбинационным током. В InAs $p{-}n$-переходах с широкозонным окном InAsSbP получены значения $R_{0}A$ при $T=300$, 200, 77 К соответственно 1, $10^{2}$, $10^{5}$ Ом $\cdot$ см$^{2}$.