Исследование пространственного распределения дефектов и механических напряжений в кремнии, имплантированном ионами углерода

Исследован монокристаллический Si, имплантированный ионами C$^{+}$ с энергией 135 кэВ, дозой $8\cdot 10^{15}$ см$^{-2}$, методами электроотражения и комбинационного рассеяния света. В результате обнаружено, что в облученных образцах существует слоистое распределение дефектов. Изучены изменение механических напряжений и распределение дефектов и их комплексов, в процессе последующих низкотемпературных и высокотемпературных отжигов.