А. Я. Вуль, С. П. Вуль, И. И. Сайдашев, П. Г. Петросян, “Полевой транзистор с $p{-}n$-переходом в качестве затвора на основе твердых растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$”, Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 10,страницы 1718

Полевой транзистор с $p{-}n$-переходом в качестве затвора на основе твердых растворов GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$

А. Я. Вуль, С. П. Вуль, И. И. Сайдашев, П. Г. Петросян

Аннотация: В статье излагаются результаты экспериментального исследования возможности создания полевого транзистора с $p{-}n$-переходом в качестве затвора на основе эпитаксиальных структур твердого раствора галлий$-$мышьяк$-$сурьма. Изготовленные транзисторы имели напряжение отсечки 3$-$8 В, крутизну 1.0$-$1.5 мА/В и абсолютную фоточувствительность до 800 А/Вт.