Фотоэлектрические процессы в сульфиде кадмия с изовалентной примесью теллура

Методами спектроскопии поверхностной фотоэдс (ПФЭ), фотопроводимости (ФП) и фотолюминесценции (ФЛ) исследованы монокристаллы CdS, легированные Te, с концентрацией не выше $2\cdot 10^{19}$ см$^{-3}$. Установлено, что при энергиях квантов $2.08{-}2.40$ эВ в спектрах ПФЭ и ФП при 300 K наблюдаются области «гашения», которые энергетически и по форме коррелируют со спектральными зависимостями возбуждения интегральной ФЛ кристалла. В данной области энергий фотонов происходит генерация экситонов, связанных на дефектах, содержащих один или два атома теллура в положении ближайших соседей анионов в решетке CdS (Te$_{1}$ и Te$_{2}$). Экситоны рекомбинируют излучательно с возбуждением локальной фононной моды атомов теллура. При меньших энергиях квантов ($1.90{-}2.08$ эВ) в спектрах ФП и ПФЭ зарегистрирована фотоионизация электронов в зону проводимости с глубоких центров, обусловленных теми же примесными дефектами Te$_{1}$ и Te$_{2}$. В данном случае доминирует безызлучательный канал рекомбинации, который осуществляется за счет эффективной генерации фононов, связанных с решеткой CdS. Для описания совокупности полученных экспериментальных данных привлечена модель конфигурационно-координатных диаграмм.