Электрофизические параметры слоев GaAs, выращенных ЖФЭ из растворов$-$расплавов в галлии и висмуте при различных потоках водорода

Исследовано влияние величины потока водорода через кристаллизационную систему в процессе ЖФЭ на электрофизические параметры эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенных как из галлиевого, так и из висмутового растворов$-$расплавов. Установлено, что при увеличении потока водорода концентрация свободных электронов уменьшается при выращивании из галлия и возрастает при выращивании из висмута, а подвижность носителей возрастает при выращивании из галлия и убывает при выращивании из висмута. Проведен анализ экспериментальных значений подвижности электронов при 77 и 300 K с учетом рассеяния как на ионизованных примесях, так и на различных микронеоднородностях (так называемых «убийцах подвижности»). Полученные зависимости концентрации доноров и акцепторов в эпитаксиальных слоях от потока водорода объясняются очисткой жидкой фазы от фоновых примесей (серы и углерода) в случае роста из галлиевых растворов$-$расплавов и увеличением количества вакансий в подрешетке мышьяка, т. е. мест для выстраивания примесей в случае роста из висмутовых растворов$-$расплавов.