Расчет параметров экситона в напряженных КЯ структурах на основе In$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs

Получены аналитические выражения, позволяющие легко рассчитывать энергию связи экситона в квантовой яме (КЯ).
Рассчитаны энергия связи экситона и спектральное положение экситонного пика для напряженных КЯ структур на основе In$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs в диапазоне ширин ямы 5$-$100 Å и $x$ до 0.5.
Определены в зависимости от длины волны, соответствующей экситонному пику, оптимальные параметры КЯ, обеспечивающие максимальную энергию связи экситона.