Нелинейные электрические явления в сильно легированном и сильно компенсированном арсениде галлия

Предложен механизм изменения инжектирующей способности контактов к эпитаксиальным пленкам сильно легированного ($N_{\text{a}} \geqslant 10^{19}$ см$^{-3}$) и сильно компенсированного арсенида галлия $p$-типа, выращенным на полуизолирующих подложках GaAs(Cr), объясняющий явления стимуляции проводимости образцов электрическим полем и светом, замороженную проводимость и полевое гашение проводимости. Установлены наличие и определяющая роль в электропроводности канала электронной проводимости, расположенного на границе перехода пленка$-$подложка. Оценены параметры канала электронной проводимости. Найдено, что сверхлинейный характер вольт-амперных характеристик образцов обусловлен как расширением канала, так и повышением подвижности в нем с ростом приложенного к образцу напряжения.