RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 10, страницы 1841–1844 (Mi phts4486)

Краткие сообщения

Особенности дефектообразования в кремнии при высокоэнергетичной имплантации бора

Ф. Аль-Баккур, А. Ю. Дидык, И. П. Козлов, В. Б. Оджаев, В. В. Петров, В. С. Просолович, А. С. Сохацкий




© МИАН, 2024