Аннотация:
Впервые проведены подробные исследования влияния сильного
электрического поля на электропроводность образцов
монокристаллов (Ga$_{2}$S$_{3}$)$_{1-x}$(Eu$_{2}$O$_{3}$)$_{x}$
(${0.01\leqslant x\leqslant0.07}$),
обладающих эффективной электро-, фото-, катодолюминесценцией в интервале
температур ${77\div400}$ K. Измерения проводились на образцах с индиевыми
омическими контактами в сэндвич-исполнении. На основе анализа результатов
измерений вольт-амперных характеристик сэндвич-структур установлено:
1) в области электрических полей от 2 до $3.3\cdot10^{2}$ В/см имеет
место закон Ома; 2) в электрическом поле
${3.3\cdot10^{2}\div3.0\cdot10^{3}}$ В/см имеет место инжекционное
явление; 3) в области электрических полей
${3\cdot10^{3}\div5\cdot10^{4}}$ В/см изменение электропроводности
подчиняется закону Пула$-$Френкеля; 4) в полях выше ${4\cdot10^{4}}$ В/см
имеет место облегченное температурой туннелирование носителей тока
через потенциальный барьер, уменьшенный на величину
$e^{3}F/\pi\varepsilon\varepsilon^{}_{0}$.