RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 11, страницы 1889–1898 (Mi phts4494)

Вольт-фарадная характеристика $m{-}s$-структур с изотипным гетеропереходом

Д. Н. Бычковский, О. В. Константинов, М. М. Панахов


Аннотация: Теоретически установлено наличие ступенчатой особенности на вольт-фарадных характеристиках (ВФХ) диода Шоттки с изотипным гетеропереходом, имеющим узкозонную область под металлом и широкозонную в толще. Если толщина узкозонной прослойки превосходит равновесную толщину области пространственных зарядов (ОПЗ) под металлом не более чем в 2 раза, то при наложении обратного смещения граница ОПЗ проходит через гетеропереход. С этим и связаны особенности на ВФХ. По этим особенностям можно определить величину разрыва зоны на гетеропереходе и толщину узкозонной прослойки. Повышение температуры сглаживает особенности на ВФХ.



© МИАН, 2024