Эллипсометрический анализ структуры GaAs$-$анодный окисел

Эллипсометрическим методом исследована структура арсенида галлия$-$анодный окисел в комплексном самосогласованном эксперименте, включающем многоугловые изменения на 6 длинах волн в диапазоне 0.4765$-$0.6328 мкм. Установлена оптическая модель структуры, детектирован переходный слой и определены его параметры. В указанном спектральном диапазоне измерены оптические константы и дисперсия всех слоев, входящих в систему.