SiC СВЧ полевые транзисторы: граничная частота$-$мощность

Проанализированы граничная частота и соответствующая ей СВЧ мощность полевых транзисторов (с $p{-}n$ затвором либо с затвором Шоттки) на основе известной аналитической модели, учитывающей насыщение дрейфовой скорости электронов в сильных электрических полях.
Рассчитаны возможные значения граничной частоты и мощности полевых транзисторов на основе карбида кремния политипа $6H$ — полупроводника, у которого напряженность поля лавинного пробоя (${\simeq5\cdot10^{6}}$ В/см) на порядок, а насыщенная скорость дрейфа электронов ($2\cdot10^{7}$ см/с) в 2 раза больше, чем у кремния и арсенида галлия.
Проведено сопоставление характеристик граничная частота$-$мощность SiC ($6H$)- и GaAs-транзисторов с длиной затвора ${1.5\div0.3}$ мкм. Показано, что SiC ($6H$)-транзисторы могут работать в диапазоне частот ${10\div100}$ ГГц с выходной мощностью ${100\div7}$ Вт, тогда как GaAs-транзисторы — в диапазоне частот ${10\div50}$ ГГц с выходной мощностью ${4\div0.2}$ Вт.
Таким образом, показано, что SiC ($6H$) может стать реальной основой для создания мощных (в десятки ватт) транзисторов миллиметрового диапазона СВЧ уже при современных, возможностях литографии.