Влияние условий измерений на аномальный эффект Холла в $p$-InAs

Исследована зависимость ЭДС Холла в кристаллах $p$-InAs (${p_{0}\sim1.1\cdot10^{17}}$ см$^{-3}$) с инверсионными каналами на поверхности от температуры, величины тока и расстояния между холловскими и токовыми контактами. Показано, что пропускание электрического тока через токовые контакты сопровождается электрическим пробоем перехода канал$-$объем кристалла и стабилизацией измеряемой «аномальной» ЭДС Холла в широком диапазоне токов. Показана возможность неразрушающего одновременного контроля параметров поверхностного канала и объема кристалла.