Аннотация:
Исследовано изменение энергии взаимодействия мелких доноров
в полупроводнике после осаждения на линии дислокации. Рассчитаны
потенциальные кривые для молекул в различных зарядовых состояниях.
Показано, что в результате осаждения молекул на дислокациях равновесные
расстояния уменьшаются почти в 3 раза, а энергия связи возрастает
на порядок. Существование прочных молекул на дислокациях позволяет
объяснить их участие в декорировании и закреплении дислокаций
в полупроводниках. Зависимость энергии взаимодействия от расстояния
между примесями хорошо аппроксимируется потенциалом Морзе. Определены
параметры потенциала.