Д. Г. Летенко, Е. В. Молодцова, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, А. Н. Попков, А. БФедорцов, Ю. В. Чуркин, “Влияние атомарного водорода на время жизни неравновесных носителей заряда в антимониде индия”, Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 12,страницы 2132

Влияние атомарного водорода на время жизни неравновесных носителей заряда в антимониде индия

Д. Г. Летенко, Е. В. Молодцова, А. В. Пахомов, А. Я. Поляков, А. Н. Попков, А. БФедорцов, Ю. В. Чуркин

Аннотация: Влияние атомарного водорода на рекомбинационную активность дефектов в антимониде индия исследовано бесконтактным интерференционным методом измерения времени жизни неравновесных носителей заряда. Зарегистрирован существенный (восьмикратный) рост времени жизни в приповерхностных слоях гидрогенизированного $n$-InSb. Отмечена крайне высокая по сравнению с другими полупроводниками скорость диффузии водорода в InSb.