Плавление полупроводников под действием импульсного лазерного излучения (обзор)

Рассмотрен процесс плавления полупроводников (в основном Si, Ge и соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$) под действием лазерных импульсов малой (нано- и пикосекундной) длительности. Основное внимание уделено экспериментам, выполненным во время действия лазерного излучения на полупроводник. Показано, что плавление на малых временах обладает особенностями, не имеющими места в стационарных условиях. К ним относятся перегрев полупроводника выше температуры плавления и образование метастабильных состояний полупроводникового расплава.