RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 12, страницы 2163–2167 (Mi phts4533)

Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниковых твердых растворах: метод определения функции плотности состояний

В. И. Зубков, Ха ЕнКим, А. А. Копылов, А. В. Соломонов


Аннотация: Предлагается метод определения функции плотности состояний (ФПС) глубоких уровней на основе анализа уширенных спектров НСГУ, для которых некорректна традиционная обработка по методу Лэнга. Метод базируется на обращении свертки и не требует априорных предположений о характере ФПС. С помощью разработанного метода определялись ФПС $Y$-уровня в твердых растворах $n$-GaAs$_{1-x}$P$_{}$. Результаты расчетов свидетельствуют о том, что ФПС глубоких уровней в твердых растворах близка по форме к распределению Гаусса.



© МИАН, 2024