RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 11, страницы 1970–1979 (Mi phts454)

Аномальная анизотропия магнитосопротивления бесщелевого $p$-HgMnTe

Н. Г. Глузман, А. Б. Давыдов, К. Р. Крылов, Н. К. Леринман, Б. Б. Поникаров, А. И. Пономарев, Л. Д. Сабирзянова, И. М. Цидильковский, Н. Г. Шелушинина, И. Н. Горбатюк, И. М. Раренко


Аннотация: На кристаллах бесщелевого полумагнитного полупроводника $p$-Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te (${x=0.055\div0.070}$) с концентрациями акцепторов ${N_{A}\simeq(1\div2)\cdot10^{17}\,\text{см}^{-3}}$ исследована аномалия магнитосопротивления, которая заключается в том, что при низких температурах в широком интервале магнитных полей (${H\simeq10\div100}$ кЭ) продольное сопротивление оказывается в несколько раз больше поперечного. Показано, что эта аномальная анизотропия магнитосопротивления обусловлена необычным соотношением между энергией Ферми $\varepsilon_{F}$ и циклотронной энергией дырок ${\hbar\omega_{p}}$ (${\varepsilon_{F}>\hbar\omega_{p}}$) для полумагнитного полупроводника в квантовой области магнитных полей, когда выше уровня Ферми остается один уровень Ландау.



© МИАН, 2024