RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 11, страницы 1980–1983 (Mi phts455)

О зависимости температуры отжига дефектов атом примеси–вакансия от типа примеси

А. Б. Герасимов, М. К. Гоготишвили, Б. М. Коноваленко


Аннотация: Предлагается объяснение температурной зависимости отжига комплексов, которые создают разрыхляющие орбитали, от вида примеси для изовалентных рядов в германии и кремнии, а также от концентрации примеси. Показано, что в этом случае чем больше удален от дна зоны проводимости уровень комплекса, тем при более низких температурах происходит этот отжиг, поскольку увеличивается вероятность перескока в вакансию соседних регулярных атомов с увеличением этого энергетического зазора.



© МИАН, 2024