Фотопроводимость и плотность состояний аморфного гидрированного кремния, легированного бором

Исследованы фото- и темновая проводимость $a$-Si : H, легированного ионной имплантацией и из газовой фазы, в зависимости от степени легирования, а также параметр Урбаха и дефектное поглощение полученных образцов. Показано, что при слабом легировании бором (для «собственных» образцов) $(\mu\tau)^{(n),(p)}$ мало зависят от способа легирования. Установлено, что параметр Урбаха и дефектное поглощение легированных образцов являются функциями положения уровня Ферми в щели подвижности.